產品應用涵蓋先進封裝、功率元件、化合物半導體、面板級封裝、MEMS、CIS、光通訊與 3D IC 等領域，協助客戶在薄晶圓處理、高精度對位、大尺寸載板、低損傷分離與量產穩定性上取得更高製程良率。
晶圓級設備平台
- 支援 2–12 吋晶圓之鍵合、解鍵合與薄晶圓支撐製程。
- 對應 310 mm / 510 mm 以上大尺寸載板之鍵合與雷射解鍵合需求。
- 整合熱固化、光固化、雷射、熱滑移、清洗、電漿與檢測模組。
- 依客戶材料、膠材、晶圓尺寸與製程條件提供設備配置與模組整合。
晶圓鍵合與解鍵合設備的專家
時轉科技有限公司 (WISEE Technologic Ltd.) 總部位於台灣竹北台元科技園區，是全球半導體製程設備的領先供應商。我們以精密搬運、自動化控制、真空熱壓、UV 固化、雷射解鍵合、清洗與電漿模組整合為核心，提供從臨時鍵合(Temporary Bonding)、解鍵合(Debonding)、永久鍵合(Permanent Bonding)到混合鍵合(Hybrid Bonding)的完整製程設備方案。
產品應用涵蓋先進封裝、功率元件、化合物半導體、面板級封裝、MEMS、CIS、光通訊與 3D IC 等領域，協助客戶在薄晶圓處理、高精度對位、大尺寸載板、低損傷分離與量產穩定性上取得更高製程良率。
晶圓級設備平台
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產品應用涵蓋先進封裝、功率元件、化合物半導體、面板級封裝、MEMS、CIS、光通訊與 3D IC 等領域，協助客戶在薄晶圓處理、高精度對位、大尺寸載板、低損傷分離與量產穩定性上取得更高製程良率。
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產品中心
Wafer Bonding & Debonding Equipment
全自動晶圓熱固化臨時鍵合機WT-WIBT-12
12 吋全自動晶圓熱固化臨時鍵合機
- 適用於先進封裝、CoWoS、薄晶圓支撐與背面製程。
- Wafer Size：≤ 300 mm
- Bonding Force：≤ 60 kN
- Bonding TTV：≤ 3.0 μm
全自動晶圓光固化臨時鍵合機WT-WIBU-12
12 吋全自動晶圓光固化臨時鍵合機
- 適用於功率元件、IGBT、MOSFET 與 UV 固化臨時鍵合製程。
- Wafer Size：≤ 300 mm
- Curing Wavelength：365 / 405 nm
- Center Align：≤ 100 μm
全自動雷射及撕膜解鍵合機WT-WIDF-12
12 吋全自動雷射及撕膜解鍵合機
- 適用於 Laser Release Glue、功率元件與低損傷解鍵合製程。
- Wafer Size：≤ 300 mm
- Laser Wavelength：355 nm / 1064 nm
- Clean Method：Peel-Off
全自動永久鍵合機 WT-WIBP-12
WT-WIBP-12
晶圓尺寸 / Wafer Size：
≤ 300mm(6~12")
鍵合壓力 / Bonding Force：
≤ 100kN
鍵合溫度/Bonding Temperature：
≤ 550°C(Option: 650°C)
Target Applications
- 3D IC · SiP · HBM · SoIC · permanent bonding · hybrid bonding
全自動面板級鍵合機 WT-PIBT-310/510
PIBT-310/ 510
- 310mm*310mm ~510mm*510mm
- Bond force 300 kN max
- Bond Temp. 250°C max
- Bonding Shift ≤ 300 μm
- Bonding TTV ≤ 10 μm, by substrate condition
- FOPLP · panel level advanced packaging · large substrate bonding and laser lift-off